Крупнейшие игроки рынка, SK Hynix, Samsung и Micron, уже начали разработку оперативной памяти DDR6. Все это контролируется JEDEC, организацией, ответственной за стандартизацию новой ОЗУ.
Первый проект спецификации DDR6 был доступен ещё в 2024 году. Однако на тот момент в нём отсутствовало множество важных деталей, включая диапазоны напряжений, характеристики сигналов, ограничения мощности и распиновку. Сейчас работа над стандартом находится на гораздо более продвинутой стадии.
Согласно предыдущим сообщениям, ожидается, что скорость DDR6 начнётся с 8800 МТ/с и в конечном итоге достигнет 17600 МТ/с. Это почти вдвое превышает возможности DDR5. Такой скачок по быстродействию в основном обусловлен использованием в архитектуре четырёх 24-битных подканалов, в то время как DDR5 использует два 32-битных подканала.
Но высокая производительность создаёт новые проблемы, связанные с целостностью сигнала и физическими ограничениями модулей DIMM. Именно поэтому формат CAMM2 может стать более важным, и отрасль оперативной памяти рассматривает его как один из путей дальнейшего увеличения тактовой частоты.
В настоящее время коммерческое появление DDR6 ожидается в 2028 году. К тому времени произойдет дальнейшее укрепление позиций DDR5, а DDR4 продолжит вытесняться с рынка. Предполагается, что серверы первыми получат DDR6, поскольку увеличенная пропускная способность наиболее быстро принесет ощутимые преимущества именно там. И только после этого новое поколение памяти будет внедрено в потребительские компьютеры.
