SK hynix объявила, что первой в отрасли успешно разработала самую производительную в мире память HBM3, четвертое поколение технологии HBM с комбинацией нескольких вертикально соединенных микросхем DRAM.
Ожидается, что последняя разработка, которая последовала за началом массового производства HBM2E в июле прошлого года, поможет укрепить лидерство компании на рынке. SK hynix также первой в отрасли начала массовое производство HBM2E. HBM3 от SK hynix — это не только самая быстрая память в мире, но обладает самой большой емкостью и значительно улучшенным уровнем качества.
HBM3 может обрабатывать до 819 ГБ (гигабайт) в секунду, это означает, что за одну секунду можно передать 163 фильма в формате FHD (full-HD) (по 5 ГБ каждый). Такое быстродействие на 78% больше по сравнению с HBM2E. Память также исправляет (битовые) ошибки данных с помощью встроенного кода, значительно повышая надежность продукта.
HBM3 от SK hynix будет поставляться двумя типами емкости: 24 ГБ (самая большая в отрасли) и 16 ГБ. Для продукта на 24 ГБ инженеры компании отшлифовали высоту чипа DRAM примерно до 30 микрометров, что эквивалентно трети толщины бумаги формата A4.
Ожидается, что HBM3 будет в основном использоваться высокопроизводительными центрами обработки данных, а также платформами машинного обучения, которые повышают уровень искусственного интеллекта и производительности суперкомпьютеров, используемых для проведения анализа изменения климата и разработки лекарств.
Источник: TechPowerUp
